lojmikak
Dołączył: 30 Sie 2010
Posty: 1597
Przeczytał: 0 tematów
Ostrzeżeń: 0/5
Skąd: olvovw
|
 Wysłany: Nie 6:11, 28 Lis 2010 Temat postu: PUMA shoes wholesale CuI薄膜的 |
 |
|
CuI薄膜的结构和电性质
行均匀分布从衍射峰的宽度来看．d一03492nm的宽度遗4度J-这说明晶界的应由作用已十分明显．圈此．Cul晶粒是非常微小的功能材料j19．27t3)；I’030．60．91．215电压(V】1．2OOnm2．350Rm340(]nm4．500nm5．78Onm6．1O00nm要3Cul膜的V-A曲线Fig3VrAcurveofCulfilm从图3可以看出，在该实验条件下．电压为0．3V到07V之间时，电流和电压并非成线性关最．这和液体电解质的VrA曲线非常相象．可以看做固体电解质．当用交流电测定时．CuI膜的导电性有所提高．253约比直流测量值提高3o。当变流频率在2~kI-Iz以上变化时．Cul膜的导电性基本不变,[link widoczny dla zalogowanych]。f}／＼}f＼×10-r·K’图4Cul膜导电性和温度的关系Fig4RelationbetweenelectrLeconductivityandtemperatureforCvlfilm实验表明，温度明显影响Cul膜的导电性,[link widoczny dla zalogowanych]，温度升高．导电率增加。图4是一十拌品的实验结果,[link widoczny dla zalogowanych]。5讨论Cul膜的密度2．23g／cm、I有7-,Cul晶体密度5．62的40，造可能有以下几种原因：(1)非晶态CuI的密度小于晶态的密度(2)膜层内存在一定的空洞·(3)在熬镀过程中由于Cul的分解．使膜层中碘原子的含量过量，膜的构成为CuI，使膜的密度进一步下降。图4可对这种假定做出解释，当加热Cul膜时,[link widoczny dla zalogowanych]。增加．在一定范围内Ig(听)一睾成线性美系，如图上的a―b段；继续加热则由于碘的放出使急骤下降．如图上的a-c段。我们还做丁这样的实验：把加热到368K一定时间的CuI膜(此时膜的导电性已大为降低壶到I蒸气中处理．比如在323K的I：蒸气中处理4h．其导电性．卫可恢复到韧始状态，甚至超过初始154状态。对此可以这样解释：这时Cul膜中的碘比刚镀出来时更为过量，过量的1。。离子填充在空隙中．I。。离子为可迁移负离子，增加了离子导电率这里CuI膜的电导率在室温下约为7S·Cn1．这个数值比CuI粉末饶结块的电导率要大6个数量缀．过是由于CuI膜非晶态中均匀分布少量微晶体特殊结构的结果Cul膜是一种离子、电子的混台导体．在高温(573K上)电子对电导的贡献可以忽略不计．在573K以下电子对电导的贡献不可忽略实验表明，Cul膜中的电子电导部分是以电子空亢的形式传递电荷的,[link widoczny dla zalogowanych]，是一种p型导体。对于离子导电部分来说，可能是真空镀膜本身的工艺条件和过量碘的引入使Cul膜形成丁二维层状结构，形成敝开式导电通道，使铜离子的导电澈活能降低，离子导电能力增强。从lg(ar)一曲线图上可以看出在a―b间lg(a,x)一睾成线性美系，由Arrhenius方成算出激活能为1．325KJ·jnol一，而Cul烧结体的激活能在473K下平均为22．7K3·mol一。可见Cvl膜是一种良好的固体电解质膜。参考文献1MatusiT．WagncrJB．1ion]．JElectrochemSc~．124300～3052JowT．[19n]．Ph．D．Th…whinprogress，N0rth8trTlUniv3WagnerJBWangerc．[1057]JChemPhys．261597~l6014Electronic~onduetivitEandchemicaldiffunionc~ffieient0fcadmjum<lopecupfulsiMide．MontaniRASolidStItIonie1991．46(3～4)：21】～216
相关的主题文章：
MAC 180 color eyeshadow The men of C-F complex the
[link widoczny dla zalogowanych]
[link widoczny dla zalogowanych]
Post został pochwalony 0 razy
|
|
